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首页 全部分类 IDW32G65C5BXKSA1 vs ISL9R18120G2

IDW32G65C5BXKSA1备选型号: ISL9R18120G2

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  • 峰值反向电流
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  • 恢复时间
  • 辐射硬化
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  • Infineon Technologies
    IDW32G65C5BXKSA1
    Infineon Technologies
    DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    2
    Tube
    CoolSiC™+
    2015
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    EFFICIENCY
    PD-CASE
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    碳化硅肖特基
    200μA @ 650V
    1.7V @ 16A
    -55°C~175°C
    无卤素
    16A DC
    650V
    16A
    1
    74A
    1 Pair Common Cathode
    200μA
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ISL9R18120G2
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    1
    Tube
    Stealth™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    快速软恢复
    FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
    -
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 1200V
    3.3V @ 18A
    -55°C~150°C
    -
    -
    1.2kV
    18A
    1
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2
    6.33g
    SILICON
    150°C
    -55°C
    8541.10.00.80
    69pF
    1.2kV
    18A
    ISL9R18120
    125W
    18A
    CATHODE
    15A
    200A
    1200V
    3.3V
    70 ns
    100μA
    1.2kV
    200A
    1.2kV
    200A
    70 ns
    无
    无SVHC
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