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首页 全部分类 IDW75D65D1XKSA1 vs ISL9R30120G2

IDW75D65D1XKSA1备选型号: ISL9R30120G2

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  • 反向电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IDW75D65D1XKSA1
    Infineon Technologies
    DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1
    Tube
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    175°C
    -40°C
    超快恢复
    FREE WHEELING DIODE, PD-CASE
    SINGLE
    未说明
    未说明
    共阳极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    40μA @ 650V
    1.7V @ 75A
    CATHODE
    150A
    -40°C~175°C
    无卤素
    150A DC
    650V
    150A
    1
    127 ns
    40μA
    650V
    580A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ISL9R30120G2
    ON Semiconductor
    Diodes - General Purpose, Power, Switching 30A 1200V STEALTH
    2 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    2
    SILICON
    1
    Tube
    2002
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    150°C
    -55°C
    快速软恢复
    FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 1200V
    3.3V @ 30A
    CATHODE
    30A
    -55°C~150°C
    -
    -
    1.2kV
    30A
    1
    100 ns
    1mA
    1.2kV
    325A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6.33g
    Stealth™
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.10.00.80
    115pF
    1.2kV
    30A
    166W
    30A
    325A
    1200V
    3.3V
    1.2kV
    325A
    100 ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
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