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首页 全部分类 IGZ100N65H5XKSA1 vs IGZ50N65H5XKSA1

IGZ100N65H5XKSA1备选型号: IGZ50N65H5XKSA1

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IGZ100N65H5XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 161A 4-Pin TO-247 Tube
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    4
    SILICON
    650V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop™ 5
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    536W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE
    COLLECTOR
    Standard
    536W
    电源控制
    无卤素
    N-CHANNEL
    650V
    161A
    40 ns
    2.1V @ 15V, 100A
    485 ns
    Trench
    210nC
    400A
    30ns/421ns
    850μJ (on), 770μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Infineon Technologies
    IGZ50N65H5XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 4-Pin TO-247 Tube
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-4
    4
    SILICON
    650V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop™ 5
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    Tin (Sn)
    273W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE
    COLLECTOR
    Standard
    273W
    电源控制
    无卤素
    N-CHANNEL
    650V
    85A
    27 ns
    2.1V @ 15V, 50A
    311 ns
    Trench
    109nC
    200A
    20ns/250ns
    410μJ (on), 190μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
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