IHW30N100R备选型号: NGTB30N120LWG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 晶体管应用
- 接通时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IGBT 1000V 60A 412W TO247-3通孔TO-247-3NO3SILICON1kV1.75V-40°C~175°C TJTube2008e3Obsolete1 (Unlimited)3TIN412W3Single412WCOLLECTORStandard不含卤素N-CHANNEL1kV60ATO-247AC1000V1.7V @ 15V, 30A988.4 ns沟渠现场停车209nC90A-/846ns2.1mJ (off)20V6.4V无符合RoHS标准无铅-----------
- ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120LWG IGBT, 1200V, 30A, TO-247-3通孔TO-247-3NO3SILICON1.2kV1.75V-55°C~150°C TJTube2011e3Obsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)560W3Single560WCOLLECTORStandard无卤素N-CHANNEL1.2kV60A-1200V2.2V @ 15V, 30A596 ns沟渠现场停车420nC240A136ns/360ns4.4mJ (on), 1mJ (off)20V6.5V-符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)yesEAR99未说明未说明MOTOR CONTROL167 ns21.08mm16.26mm5.3mm无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | 对比 |
| NGTB30N120IHRWG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 384000mW 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 | |
| NGTB30N120LWG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120LWG IGBT, 1200V, 30A, TO-247-3 | 对比 |




哦! 它是空的。