IJW120R070T1FKSA1备选型号: IKW50N60TFKSA1
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
- 电阻-RDS(On)
- 最大漏极电流(Id)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 1200 V SILICON CARBIDE JFET通孔通孔TO-247-33PG-TO247-3-55°C~175°C TJTube2013Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle238WN-Channel2000pF @ 19.5V VGS1200V35μA2V1.2kV3.3μA @ 1200V70mOhms35A符合RoHS标准无铅--------------------------------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247-通孔TO-247-3---40°C~175°C TJTube2006活跃1 (Unlimited)---333W---------ROHS3 Compliant-26 WeeksNOSILICON80ATrenchStop®e3yes3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL143nsTO-247AC600V60 ns2V @ 15V, 50A396 ns沟渠现场停车310nC150A26ns/299ns2.6mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | INFINEON IKW75N60TIGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |
![]() | IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |




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