IJW120R070T1FKSA1备选型号: NGTG35N65FL2WG
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
- 电阻-RDS(On)
- 最大漏极电流(Id)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 1200 V SILICON CARBIDE JFET通孔通孔TO-247-33PG-TO247-3-55°C~175°C TJTube2013Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle238WN-Channel2000pF @ 19.5V VGS1200V35μA2V1.2kV3.3μA @ 1200V70mOhms35A符合RoHS标准无铅----------------------------
- ON SEMICONDUCTOR NGTG35N65FL2WG IGBT Single Transistor, UPS & Solar Application, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pins通孔通孔TO-247-33--55°C~175°C TJTube2015活跃1 (Unlimited)--Single300W---------ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)6 WeeksTinSILICON650V1.7Ve3yes3300WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL650V70A108 ns2V @ 15V, 35A231 ns场站125nC120A72ns/132ns840μJ (on), 280μJ (off)21.08mm16.26mm5.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | INFINEON IKW75N60TIGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |
![]() | IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |




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