IJW120R070T1FKSA1备选型号: NGTG35N65FL2WG

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
  • 电阻-RDS(On)
  • 最大漏极电流(Id)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 最大功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    1200 V SILICON CARBIDE JFET
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    PG-TO247-3
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    Single
    238W
    N-Channel
    2000pF @ 19.5V VGS
    1200V
    35μA
    2V
    1.2kV
    3.3μA @ 1200V
    70mOhms
    35A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTG35N65FL2WG IGBT Single Transistor, UPS & Solar Application, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    300W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    SILICON
    650V
    1.7V
    e3
    yes
    3
    300W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    70A
    108 ns
    2V @ 15V, 35A
    231 ns
    场站
    125nC
    120A
    72ns/132ns
    840μJ (on), 280μJ (off)
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
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