IKB20N60TATMA1备选型号: IGB20N60H3ATMA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchStop®
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    166W
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    166W
    电源控制
    无卤素
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    41 ns
    36 ns
    2.05V @ 15V, 20A
    299 ns
    沟渠现场停车
    120nC
    60A
    18ns/199ns
    770μJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    SILICON
    1
    -40°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchStop®
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    170W
    电源控制
    无卤素
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    -
    31 ns
    2.4V @ 15V, 20A
    241 ns
    沟渠现场停车
    120nC
    80A
    16ns/194ns
    690μJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    30N60
    不合格
  • 添加型号
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