IKB20N60TATMA1备选型号: IGB20N60H3ATMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-26316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop®2008e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)166W鸥翼4R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard166W电源控制无卤素N-CHANNEL600V40A41 ns36 ns2.05V @ 15V, 20A299 ns沟渠现场停车120nC60A18ns/199ns770μJ无SVHC无ROHS3 Compliant含铅-----
- IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON1-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop®2008e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼4R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard170W电源控制无卤素N-CHANNEL600V40A-31 ns2.4V @ 15V, 20A241 ns沟渠现场停车120nC80A16ns/194ns690μJ--ROHS3 Compliant含铅未说明not_compliant未说明30N60不合格
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IGB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT | 对比 |
![]() | SGB02N120ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3 | 对比 |



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