IKD15N60RATMA1备选型号: IRGR3B60KD2TRLP
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 基本部件号
- 上升时间-最大值
- JEDEC-95代码
- 最大下降时间 (tf)
- Trench and Field Stop technology IGBT16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON1-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop™2013e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)250W鸥翼未说明not_compliant未说明3R-PSSO-G2不合格SingleStandard250W电源控制无卤素N-CHANNEL2.1V30A110 ns600V26 ns2.1V @ 15V, 15A430 ns沟渠现场停车90nC45A16ns/183ns370μJ (on), 530μJ (off)20V5.7VROHS3 Compliant含铅----
- IGBT 600V 7.8A 52W DPAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2004e3-Obsolete1 (Unlimited)2-Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier52W鸥翼260-30-R-PSSO-G2不合格SingleStandard52WMOTOR CONTROL-N-CHANNEL2.4V7.8A77 ns600V35 ns2.4V @ 15V, 3A211 nsNPT13nC15.6A18ns/110ns62μJ (on), 39μJ (off)20V5.5V符合RoHS标准-IRGR3B60KD2PBF22nsTO-252AA105ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGD5H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | 对比 |
![]() | STGD14NC60KT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 25A 80W DPAK | 对比 |
![]() | IRGR3B60KD2TRRP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 7.8A 52W DPAK | 对比 |





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