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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.868917
10
¥16.857469
100
¥15.903277
500
¥15.003087
1000
¥14.153855
STMicroelectronics STGD14NC60KT4
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- 对比
STGD14NC60KT4
2381-STGD14NC60KT4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 600V 25A 80W DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGD14NC60KT4详情
STMicroelectronics STGD14NC60KT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 7A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
116 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
80W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
14A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STGD14
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G2
元素配置
Single
输入类型
Standard
接通延迟时间
22.5 ns
功率 - 最大
80W
晶体管应用
电源控制
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
25A
连续放电电流(ID)
14A
最大击穿电压
600V
接通时间
31.5 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 7A
关断时间-标准值(toff)
340 ns
闸门收费
34.4nC
Td(开/关)@25°C
22.5ns/116ns
开关能量
82μJ (on), 155μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGD14NC60KT4拓展信息
STMicroelectronics
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