IKD15N60RFAATMA1备选型号: STGD7NC60HT4
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- 工厂交货时间
- 底架
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- JEDEC-95代码
- 最大击穿电压
- 连续集电极电流
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-317 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON600V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™2006yes不用于新设计1 (Unlimited)2240WSINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTORStandard240W电源控制无卤素N-CHANNEL600V30A74 ns30 ns2.5V @ 15V, 15A193 nsTrench90nC45A13ns/160ns270μJ (on), 250μJ (off)ROHS3 Compliant含铅------------------------
- N CH IGBT, PowerMESH, 600V, 25A, DPAK - More Details8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™--活跃1 (Unlimited)270W-鸥翼26030R-PSSO-G2--Standard-电源控制-N-CHANNEL600V25A-25.5 ns2.5V @ 15V, 7A221 ns-35nC50A18.5ns/72ns95μJ (on), 115μJ (off)ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)33.949996g2.5Ve3EAR99Matte Tin (Sn) - annealed600V7ASTGD73Single70W18.5 ns8.5nsTO-252AA600V14A20V5.75V2.4mm6.6mm6.2mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGR4610DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 16A 77W DPAK | 对比 |
![]() | IRGR4045DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 12A 77W DPAK | 对比 |
![]() | IRGR4610DTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 16A 77W DPAK | 对比 |





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