Infineon Technologies IRGR4045DPBF
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IRGR4045DPBF
1211-IRGR4045DPBF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 600V 12A 77W DPAK
--最小包装量--
IRGR4045DPBF详情
Infineon Technologies IRGR4045DPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 6A, 47 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
77W
终端形式
鸥翼
基本部件号
IRGR4045
JESD-30代码
R-PSSO-G2
上升时间-最大值
15ns
元素配置
Single
功率耗散
39W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
27 ns
功率 - 最大
77W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
12A
反向恢复时间
74 ns
JEDEC-95代码
TO-252AA
接通时间
38 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 6A
关断时间-标准值(toff)
127 ns
IGBT类型
Trench
闸门收费
19.5nC
集极脉冲电流(Icm)
18A
Td(开/关)@25°C
27ns/75ns
开关能量
56μJ (on), 122μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
最大下降时间 (tf)
22ns
高度
6.22mm
长度
6.73mm
宽度
2.39mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRGR4045DPBF拓展信息
Infineon Technologies
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