IMB9AT110备选型号: DMA502010R
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
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- 端子表面处理
- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
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- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
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- 工作电源电压
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- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- VCEsat-最大值
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- Reach合规守则
- 功率 - 最大
- 增益带宽积
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT67 WeeksSC-74, SOT-457表面贴装表面贴装650V2004Tape & Reel (TR)e1yes不用于新设计1 (Unlimited)6EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)150°C-55°CDIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.78541.21.00.75-50V300mW鸥翼260-70mA10MB96100mA50VPNPDual300mWSWITCHING2 PNP - Pre-Biased (Dual)300mV100mA68 @ 5mA 5V500nA300mV @ 250μA, 5mA250MHz50V250MHz10k Ω-70mA47k Ω0.3 VROHS3 Compliant无无铅------------
- Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm10 Weeks5-SMD, Flat Leads表面贴装表面贴装550V2011Cut Tape (CT)--Discontinued1 (Unlimited)5EAR99------150mW-未说明-未说明DMA50201---PNPDual-AMPLIFIER2 PNP (Dual)50V100mA210 @ 2mA 10V100μA500mV @ 10mA, 100mA150MHz50V---100mA--符合RoHS标准-无铅TinSILICON-500mV150°C TJunknown150mW150MHz60V7V600μm2mm1.25mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IMB2AT110 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SMD/SMT | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | 对比 | |
| IMD9AT108 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | 对比 | |
| IMD2AT108 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | 对比 |



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