ROHM Semiconductor IMB2AT110

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

SMD/SMT

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

68

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-30mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

最小直流增益（hFE）

68

连续集电极电流

-100mA

VCEsat-最大值

0.3 V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅