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首页 全部分类 IMX8-7-F vs DMMT5551S-7-F

IMX8-7-F备选型号: DMMT5551S-7-F

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  • 转换频率
  • 最大击穿电压
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管应用
  • 达到SVHC
  • Diodes Incorporated
    IMX8-7-F
    Diodes Incorporated
    IMX8 Series Dual NPN 120 V 300 mW Small Signal Transistor Surface Mount-SOT-26
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    29.993795mg
    SILICON
    120V
    500mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    120V
    300mW
    鸥翼
    260
    50mA
    140MHz
    40
    IMX8
    6
    NPN
    Dual
    300mW
    140MHz
    2 NPN (Dual)
    120V
    50mA
    180 @ 2mA 6V
    500nA ICBO
    500mV @ 1mA, 10mA
    140MHz
    120V
    120V
    5V
    1.1mm
    3mm
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMMT5551S-7-F
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    29.993795mg
    SILICON
    160V
    200mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    300mW
    鸥翼
    260
    -
    300MHz
    40
    DMMT5551
    6
    NPN
    Dual
    300mW
    300MHz
    2 NPN (Dual) Matched Pair
    160V
    200mA
    80 @ 10mA 5V
    50nA ICBO
    200mV @ 5mA, 50mA
    100MHz
    160V
    180V
    6V
    1.1mm
    3mm
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    SWITCHING
    无SVHC
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