INA200AID备选型号: TC4427EOA

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  • 工厂交货时间
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  • 包装
  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 电源电压
  • 基本部件号
  • 功能
  • 输出类型
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 工作电源电流
  • 电源电流
  • 最大电源电流
  • 准确性
  • 回应时间
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  • 放大器类型
  • 共模拒绝率
  • 输入失调电压(Vos)
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  • 电压增益 - 额定值
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终止次数
  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 功能数量
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 输出的数量
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  • 工作电源电压
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
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  • 最大输出电压
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • Texas Instruments
    Current Shunt Monitor 8-Pin SOIC Tube
    6 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    75.891673mg
    -40°C~125°C
    Tube
    e4
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    260
    12V
    INA200
    电流监控器
    OPEN-DRAIN
    18V
    2.7V
    1.85mA
    1.35mA
    1.8mA
    ±3.5%
    1300 ns
    1 V/μs
    COMPARATOR
    100 dB
    500μV
    High-Side
    9μA
    1
    20
    3.91mm
    4.9mm
    1.75mm
    1.58mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MICROCHIP - TC4427EOA - MOSFET DRIVER, LOW-SIDE, SOIC-8
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    TC4427
    -
    -
    -
    -
    -
    4.5mA
    4.5mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10μA
    -
    -
    3.91mm
    4.9mm
    1.42mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    50 ns
    2003
    8
    12Ohm
    470mW
    4.5V~18V
    2
    40
    8
    2
    25mV
    1.5A
    15V
    470mW
    1.5A
    50 ns
    Non-Inverting
    30 ns
    25mV
    30ns
    30 ns
    19ns 19ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Independent
    0.04 μs
    1.5A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.5A 1.5A
    YES
    0.06 μs
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