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IPA100N08N3GXKSA1备选型号: IPA093N06N3GXKSA1

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IPA100N08N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    40A Tc
    3.5V @ 46μA
    2008
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    35W
    ISOLATED
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 40A, 10V
    无卤素
    2410pF @ 40V
    35nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    5 ns
    40A
    TO-220AB
    20V
    80V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA093N06N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Full-Pack
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    1
    4V @ 34μA
    2008
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.3m Ω @ 40A, 10V
    无卤素
    3900pF @ 30V
    48nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    5 ns
    43A
    TO-220AB
    20V
    60V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    13 Weeks
    172A
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