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首页 全部分类 IPA60R060C7XKSA1 vs SPA20N60C3XKSA1

IPA60R060C7XKSA1备选型号: SPA20N60C3XKSA1

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPA60R060C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    4V @ 800μA
    16A Tc
    2008
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 15.9A, 10V
    无卤素
    2850pF @ 400V
    68nC @ 10V
    ±20V
    16A
    TO-220AB
    600V
    0.06Ohm
    135A
    159 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA20N60C3XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    3.9V @ 1mA
    1
    2005
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 13.1A, 10V
    无卤素
    2400pF @ 25V
    114nC @ 10V
    ±20V
    20.7A
    TO-220AB
    600V
    -
    -
    690 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    雪崩 额定
    650V
    20.7A
    34.5W
    10 ns
    5ns
    4.5 ns
    20V
    无
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