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首页 全部分类 IPA60R180C7XKSA1 vs IPA60R380P6XKSA1

IPA60R180C7XKSA1备选型号: IPA60R380P6XKSA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
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  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPA60R180C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    29W Tc
    4V @ 260μA
    CoolMOS™ C7
    2008
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 5.3A, 10V
    无卤素
    1080pF @ 400V
    24nC @ 10V
    ±20V
    9A
    TO-220AB
    600V
    9A
    0.18Ohm
    45A
    53 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R380P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    10.6A Tc
    4.5V @ 320μA
    CoolMOS™ P6
    2008
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    380mOhm @ 3.8A, 10V
    无卤素
    877pF @ 100V
    19nC @ 10V
    ±20V
    10.6A
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    PG-TO220-FP
    6.000006g
    150°C
    -55°C
    1
    12 ns
    6ns
    600V
    7 ns
    20V
    877pF
    342mOhm
    380 mΩ
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