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首页 全部分类 IPA60R180C7XKSA1 vs SPA11N60C3XKSA1

IPA60R180C7XKSA1备选型号: SPA11N60C3XKSA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 零件状态
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • Infineon Technologies
    IPA60R180C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    29W Tc
    4V @ 260μA
    CoolMOS™ C7
    2008
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 5.3A, 10V
    无卤素
    1080pF @ 400V
    24nC @ 10V
    ±20V
    9A
    TO-220AB
    600V
    9A
    0.18Ohm
    45A
    53 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA11N60C3XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    11A Tc
    3.9V @ 500μA
    CoolMOS™
    2005
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 7A, 10V
    无卤素
    1200pF @ 25V
    60nC @ 10V
    ±20V
    11A
    TO-220AB
    600V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    雪崩 额定
    650V
    11A
    不合格
    33W
    10 ns
    5ns
    20V
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