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首页 全部分类 IPA60R190C6XKSA1 vs FCPF190N60E

IPA60R190C6XKSA1备选型号: FCPF190N60E

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • Infineon Technologies
    IPA60R190C6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
    40 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    3
    SILICON
    20.2A Tc
    3.5V @ 630μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    34W
    ISOLATED
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 9.5A, 10V
    无卤素
    1400pF @ 100V
    63nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    9 ns
    20.2A
    TO-220AB
    20V
    0.19Ohm
    600V
    59A
    418 mJ
    3 V
    9.45mm
    10.36mm
    4.57mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF190N60E
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60E Power MOSFET, N Channel, 20.6 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2.5 V
    15 Weeks
    -
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    3
    -
    20.6A Tc
    3.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2013
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    -
    Single
    -
    39W
    -
    23 ns
    N-Channel
    -
    190m Ω @ 10A, 10V
    -
    3175pF @ 25V
    82nC @ 10V
    38ns
    ±20V
    40 ns
    20.6A
    -
    20V
    -
    650V
    -
    -
    -
    9.19mm
    10.36mm
    4.9mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    2.27g
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    2.5V
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