ON Semiconductor FCPF190N60E
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FCPF190N60E
1807-FCPF190N60E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60E Power MOSFET, N Channel, 20.6 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2.5 V
--最小包装量--
FCPF190N60E详情
ON Semiconductor FCPF190N60E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
15 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
2.27g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
39W Tc
Turn Off Delay Time
212 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® II
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
功率耗散
39W
接通延迟时间
23 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
190m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3175pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
82nC @ 10V
上升时间
38ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
20.6A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
650V
高度
9.19mm
长度
10.36mm
宽度
4.9mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FCPF190N60E拓展信息
ON Semiconductor
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