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首页 全部分类 IPA60R280E6XKSA1 vs FCPF260N60E

IPA60R280E6XKSA1备选型号: FCPF260N60E

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  • 场效应管类型
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  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
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  • 上升时间
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  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPA60R280E6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    32W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    280m Ω @ 6.5A, 10V
    3.5V @ 430μA
    无卤素
    950pF @ 100V
    43nC @ 10V
    ±20V
    13.8A
    TO-220AB
    20V
    600V
    0.28Ohm
    40A
    284 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF260N60E
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF260N60E Power MOSFET, N Channel, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V
    16 Weeks
    通孔
    -
    TO-220-3
    3
    -
    1
    -
    Tube
    -
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    36W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    15A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2.27g
    150°C
    -55°C
    36W
    not_compliant
    Single
    20 ns
    11ns
    600V
    N-CHANNEL
    13 ns
    2.5V
    650V
    2.5nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    260mOhm
    260 mΩ
    4.9mm
    10.36mm
    16.07mm
    无SVHC
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FCPF260N60E FCPF260N60E ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF260N60E Power MOSFET, N Channel, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V 对比