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首页 全部分类 IPA65R125C7XKSA1 vs IPA60R120C7XKSA1

IPA65R125C7XKSA1备选型号: IPA60R120C7XKSA1

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • JESD-30代码
  • Infineon Technologies
    IPA65R125C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 8.9A, 10V
    4V @ 440μA
    无卤素
    1670pF @ 400V
    35nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    8 ns
    10A
    TO-220AB
    20V
    650V
    0.125Ohm
    75A
    89 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R120C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 7.8A, 10V
    4V @ 390μA
    无卤素
    1500pF @ 400V
    34nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    11A
    TO-220AB
    -
    600V
    0.12Ohm
    66A
    78 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    R-PSFM-T3
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