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首页 全部分类 IPA65R1K0CEXKSA1 vs STF9HN65M2

IPA65R1K0CEXKSA1备选型号: STF9HN65M2

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IPA65R1K0CEXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    7.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 200μA
    无卤素
    328pF @ 100V
    15.3nC @ 10V
    ±20V
    7.2A
    TO-220AB
    650V
    1Ohm
    12A
    50 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF9HN65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    5.5A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    820m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    325pF @ 100V
    11.5nC @ 10V
    ±25V
    5.5A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    STF9
    650V
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STF9HN65M2 STF9HN65M2 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP 对比