IPA65R1K5CEXKSA1备选型号: STP6N65M2
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 基本部件号
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 650V TO220-318 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON5.2A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 1A, 10V3.5V @ 130μA无卤素225pF @ 100V10.5nC @ 10V±20V5.2ATO-220AB650V8.3A26 mJ超级交界处ROHS3 Compliant无铅------------
- STMICROELECTRONICS STP6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V16 Weeks通孔通孔TO-220-3-4A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™---活跃1 (Unlimited)-EAR99--未说明未说明----N-Channel-1.35 Ω @ 2A, 10V4V @ 250μA-226pF @ 100V9.8nC @ 10V±25V4A-----ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)3329.988449mgSTP6N119 ns7ns20 ns3V25V650V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STF6N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STF6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | STP6N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STP6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |





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