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首页 全部分类 IPB014N06NATMA1 vs IRFS7530TRLPBF

IPB014N06NATMA1备选型号: IRFS7530TRLPBF

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 达到SVHC
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPB014N06NATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    34A Ta 180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    SINGLE
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    214W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 100A, 10V
    2.8V @ 143μA
    无卤素
    7800pF @ 30V
    106nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    14 ns
    180A
    2.8V
    20V
    60V
    34A
    0.0014Ohm
    60V
    420 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7530TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    52 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 100A, 10V
    3.7V @ 250μA
    -
    13703pF @ 25V
    411nC @ 10V
    141ns
    ±20V
    104 ns
    195A
    3.7V
    20V
    -
    -
    0.002Ohm
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.949996g
    260
    30
    1
    Single
    60V
    760A
    60V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
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