STMicroelectronics STH240N75F3-6
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STH240N75F3-6
2381-STH240N75F3-6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
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MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III
--最小包装量--
STH240N75F3-6详情
STMicroelectronics STH240N75F3-6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
180A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
100 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ III
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
3MOhm
终端形式
鸥翼
基本部件号
STH240
JESD-30代码
R-PSSO-G6
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3m Ω @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
87nC @ 10V
上升时间
70ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
180A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
720A
雪崩能量等级(Eas)
600 mJ
高度
4.8mm
长度
15.25mm
宽度
10.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STH240N75F3-6拓展信息
STMicroelectronics
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