IPB015N04NGATMA1备选型号: IPB011N04LGATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 附加功能
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2 Tab) TO-26313 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET250WDRAIN40 nsN-ChannelSWITCHING1.5m Ω @ 100A, 10V4V @ 200μA无卤素20000pF @ 20V250nC @ 10V10ns±20V13 ns120A20V40V400A865 mJROHS3 Compliant含铅------
- Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6 Tab) TO-26313 Weeks-表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)-SILICON180A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3no活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明7R-PSSO-G6不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAIN-N-ChannelSWITCHING1.1m Ω @ 100A, 10V2V @ 200μA-29000pF @ 20V346nC @ 10V-±20V----1260A525 mJROHS3 Compliant-YESLOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE40V180A0.0014Ohm40V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | FDB8442 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | 对比 |
![]() | IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6 Tab) TO-263 | 对比 |





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