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IPB022N04LGATMA1备选型号: FDB8832-F085
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON90A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99逻辑电平兼容SINGLE鸥翼未说明未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET167WDRAINN-ChannelSWITCHING2.2m Ω @ 90A, 10V2V @ 95μA13000pF @ 20V166nC @ 10V40V±20V90A20V0.0029Ohm400A40V符合RoHS标准------------
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON34A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®-yesObsolete1 (Unlimited)2---鸥翼26030-R-PSSO-G2--增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING1.9m Ω @ 80A, 10V3V @ 250μA11400pF @ 15V265nC @ 10V-±20V80A20V0.0022Ohm--符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)31.31247ge3Tin (Sn)Single24 ns73ns38 ns30V1246 mJ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 | 对比 |
| IRF4104SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 对比 |
| FDB8832-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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