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IPB090N06N3GATMA1备选型号: IPB144N12N3GATMA1
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-26313 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON71W Tc4V @ 34μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET71WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 50A, 10V2900pF @ 30V36nC @ 10V40ns60V±20V5 ns50A20V0.009Ohm200A60Vnot_compliantROHS3 Compliant-- Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R13 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON14V @ 61μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET107WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING14.4m Ω @ 56A, 10V3220pF @ 60V49nC @ 10V9ns120V±20V4 ns56A20V-224A-not_compliantROHS3 Compliant90 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB8447L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK | 对比 |
| IPB081N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1 | 对比 |
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