ON Semiconductor FDB8447L
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FDB8447L
1807-FDB8447L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
--最小包装量--
FDB8447L详情
ON Semiconductor FDB8447L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
2
质量
1.31247g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A Ta 50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.1W Ta 60W Tc
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
8.5MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
鸥翼
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
60W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.5m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2620pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
52nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
50A
阈值电压
1.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
双电源电压
40V
栅源电压
1.9 V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
11.33mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDB8447L拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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