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IPB096N03LGATMA1备选型号: IPB45N06S4L08ATMA1
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON35A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2007noObsolete1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE鸥翼未说明未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING9.6m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA1600pF @ 15V15nC @ 10V30V±20V35A0.0141Ohm245A40 mJ符合RoHS标准-------- Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON45A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2009-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99-SINGLE鸥翼未说明未说明-R-PSSO-G2-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel-7.9m Ω @ 45A, 10V2.2V @ 35μA4780pF @ 25V64nC @ 10V-±16V45A0.0079Ohm180A97 mJROHS3 Compliant9 ns无卤素2ns8 ns16V60V含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB8876 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK | 对比 |
| IPB45N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB45N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | 对比 |
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