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IPB100N06S2L05ATMA2备选型号: AUIRFS3306TRL
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- 操作温度
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 晶体管应用
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-310 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2005yes活跃1 (Unlimited)2EAR99逻辑电平兼容鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN18 nsN-Channel4.4m Ω @ 80A, 10V2V @ 250μA无卤素5660pF @ 25V230nC @ 10V25ns±20V24 ns100A20V55V0.0056Ohm55V400A810 mJ4.57mm10.31mm9.45mmROHS3 Compliant----- MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011-活跃1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼260-30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET230WDRAIN15 nsN-Channel4.2m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA-4520pF @ 50V125nC @ 10V76ns±20V77 ns120A20V-0.0042Ohm60V620A-4.83mm10.67mm9.65mmROHS3 CompliantTine3SWITCHING无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
| IPB80N06S2LH5ATMA4 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 对比 |
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