IPB117N20NFDATMA1备选型号: AUIRFS4115

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 底架
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
    13 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    1.946308g
    SILICON
    300W Tc
    4V @ 270μA
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    11.7m Ω @ 84A, 10V
    无卤素
    6650pF @ 100V
    87nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    8 ns
    84A
    3V
    20V
    200V
    200V
    175°C
    4.82mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK
    16 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    -
    -
    -
    99A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2015
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    12.1m Ω @ 62A, 10V
    -
    5270pF @ 50V
    120nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    99A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    IRFS4115
    150V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
AUIRFS4127 AUIRFS4127 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 对比