IPB117N20NFDATMA1备选型号: AUIRFS4115
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK13 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装31.946308gSILICON300W Tc4V @ 270μA-55°C~175°C TJCut Tape (CT)OptiMOS™2013e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFET300WDRAIN13 nsN-Channel11.7m Ω @ 84A, 10V无卤素6650pF @ 100V87nC @ 10V10ns±20V8 ns84A3V20V200V200V175°C4.82mm无SVHCROHS3 Compliant含铅--
- MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK16 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装---99A Tc5V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2015-活跃1 (Unlimited)-EAR99--未说明未说明-------N-Channel12.1m Ω @ 62A, 10V-5270pF @ 50V120nC @ 10V-±20V-99A-------ROHS3 Compliant-IRFS4115150V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS4127 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET NCH 200V 72A D2PAK | 对比 |



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