Infineon Technologies IPB117N20NFDATMA1

工厂交货时间

13 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

3

质量

1.946308g

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 270μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

84A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.7m Ω @ 84A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6650pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

87nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

84A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

200V

漏源击穿电压

200V

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅