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IPB120N04S401ATMA1备选型号: AUIRFS8403
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
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- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-216 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK (TO-263AB)120A Tc4V @ 140μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2010活跃1 (Unlimited)175°C-55°C34 nsN-Channel1.5mOhm @ 100A, 10V无卤素14000pF @ 25V176nC @ 10V16ns40V±20V36 ns120A20V40V14nF1.35mOhm1.5 mΩROHS3 Compliant含铅----------- MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK10 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK123A Tc3.9V @ 100μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2013Discontinued1 (Unlimited)175°C-55°C10 nsN-Channel3.3mOhm @ 70A, 10V-3183pF @ 25V93nC @ 10V77ns40V±20V43 ns123A20V-3.183nF2.6mOhm3.3 mΩROHS3 Compliant无铅Tin1Single99W3 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB9403-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB | 对比 |
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