Infineon Technologies IPB120N04S401ATMA1
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IPB120N04S401ATMA1
1211-IPB120N04S401ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
1最小包装量--
IPB120N04S401ATMA1详情
Infineon Technologies IPB120N04S401ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK (TO-263AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
188W Tc
Turn Off Delay Time
41 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 140μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
34 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
176nC @ 10V
上升时间
16ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
36 ns
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
输入电容
14nF
漏源电阻
1.35mOhm
最大rds
1.5 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPB120N04S401ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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