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IPB120N08S403ATMA1备选型号: IPB024N08N5ATMA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 通道数量
- 元素配置
- 晶体管应用
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON14V @ 223μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN30 nsN-Channel2.5m Ω @ 100A, 10V无卤素11550pF @ 25V167nC @ 10V15ns±20V50 ns120A20V80V0.0025Ohm480A920 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅----- MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-213 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON120A Tc3.8V @ 154μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013--活跃1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAIN22 nsN-Channel2.4m Ω @ 100A, 10V无卤素8970pF @ 40V123nC @ 10V14ns±20V15 ns120A20V80V0.0024Ohm480A374 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅3.949996g1SingleSWITCHING
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB020N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 | 对比 |
| IPB024N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 | 对比 |
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