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首页 全部分类 IPB180N08S402ATMA1 vs STH275N8F7-6AG

IPB180N08S402ATMA1备选型号: STH275N8F7-6AG

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 包装
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  • 无铅代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IPB180N08S402ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO263-7
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    180A Tc
    4V @ 220μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    2.2m Ω @ 100A, 10V
    无卤素
    11550pF @ 25V
    167nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    180A
    20V
    80V
    0.0022Ohm
    640 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STH275N8F7-6AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -
    -
    180A Tc
    4.5V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    2.1m Ω @ 90A, 10V
    -
    13600pF @ 50V
    193nC @ 10V
    -
    ±20V
    180A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    STH275
    80V
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