IPB45N06S3-16备选型号: IPB090N06N3GATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 无铅代码
- 附加功能
- 端子位置
- Reach合规守则
- 配置
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- MOSFET N-CH 55V 45A表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON10V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2007e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99哑光锡55V鸥翼26045A404R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET65WDRAINN-Channel15.4m Ω @ 23A, 10V4V @ 30μA2980pF @ 25V57nC @ 10V61ns±20V68 ns45A20V55V95 mJ符合RoHS标准无铅-------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼未说明-未说明4R-PSSO-G2不合格-增强型MOSFET71WDRAINN-Channel9m Ω @ 50A, 10V4V @ 34μA2900pF @ 30V36nC @ 10V40ns±20V5 ns50A20V--ROHS3 Compliant-13 Weeks3no雪崩 额定SINGLEnot_compliantSINGLE WITH BUILT-IN DIODE15 nsSWITCHING60V0.009Ohm200A60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |



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