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IPB60R165CPATMA1备选型号: IPB60R125CPATMA1

IPB60R165CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-263

40 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
SILICON
21A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
CoolMOS™
2008
no
不用于新设计
1 (Unlimited)
2
600V
SINGLE
鸥翼
21A
4
R-PSSO-G2
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
192W
DRAIN
12 ns
N-Channel
SWITCHING
165m Ω @ 12A, 10V
3.5V @ 790μA
无卤素
2000pF @ 100V
52nC @ 10V
5ns
±20V
5 ns
21A
20V
600V
522 mJ
无
ROHS3 Compliant
含铅
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPB60R125CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2 Tab) TO-263

-
-
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
SILICON
25A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
CoolMOS™
2007
no
不用于新设计
1 (Unlimited)
2
-
SINGLE
鸥翼
-
4
R-PSSO-G2
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
-
DRAIN
-
N-Channel
SWITCHING
125m Ω @ 16A, 10V
3.5V @ 1.1mA
-
2500pF @ 100V
70nC @ 10V
-
±20V
-
-
-
-
708 mJ
-
ROHS3 Compliant
-
YES
e3
EAR99
Tin (Sn)
未说明
not_compliant
未说明
不合格
600V
25A
0.125Ohm
82A
600V
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