我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IPB60R380P6ATMA1备选型号: STB13N60M2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V TO263-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON10.6A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)CoolMOS™ P62008e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 3.8A, 10V4.5V @ 320μA无卤素877pF @ 100V19nC @ 10V±20V10.6A600V0.38Ohm29A210 mJ符合RoHS标准含铅----------------
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON11A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus---活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼--R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA-580pF @ 100V17nC @ 10V±25V11A--44A125 mJROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)3380mOhmSTB13NSingle110W11 ns10ns600V9.5 ns25V650V4.6mm10.4mm9.35mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 | 对比 |
| IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
哦! 它是空的。