Infineon Technologies IPB60R380P6ATMA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

CoolMOS™ P6

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 3.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 320μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

877pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

10.6A

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.38Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

29A

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅