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IPB65R660CFDAATMA1备选型号: STB6N52K3
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 附加功能
- 基本部件号
- 引脚数量
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH TO263-318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON6A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™2008e3no活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET62.5WDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING660m Ω @ 3.2A, 10V4.5V @ 200μA无卤素543pF @ 100V20nC @ 10V8ns±20V10 ns6ATO-252AA20V650V6A0.66OhmROHS3 Compliant含铅-------
MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON5A Tc150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH3™-e3-Obsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - annealedSINGLE鸥翼245not_compliant30R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET70W-10 nsN-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 2.5A, 10V4.5V @ 50μA-670pF @ 50V26nC @ 10V11ns±30V18 ns5A-30V-5A-ROHS3 Compliant无铅1.2OhmULTRA-LOW RESISTANCESTB6N4525V20A110 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SPB04N60S5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| SPB03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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