Infineon Technologies SPB03N60C3ATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

38W Tc

Turn Off Delay Time

64 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

38W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 135μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

3.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.6A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅