我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IPB70N04S3-07备选型号: NTB4302T4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 电压 - 额定直流
- Reach合规守则
- 额定电流
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 70A 6.8mOhms表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2007e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)超低电阻8541.29.00.95鸥翼未说明未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET79WDRAIN13 nsN-Channel6.2m Ω @ 70A, 10V4V @ 50μA无卤素2700pF @ 25V40nC @ 10V8ns±20V7 ns80A20V40V70A0.0071Ohm40V145 mJ4.4mm10mm9.25mm符合RoHS标准-------- MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--SILICON74A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2005e0-Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)--鸥翼235未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET80WDRAIN-N-Channel9.3m Ω @ 37A, 10V3V @ 250μA-2400pF @ 24V28nC @ 4.5V70ns±20V30 ns74A20V--0.0093Ohm30V722 mJ---Non-RoHS Compliant表面贴装30Vnot_compliant74ASWITCHING175A含铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB4302T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | 对比 |
| IPB80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
 | FDB6670AL | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。