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IPB70N10SL16ATMA1备选型号: HUFA76645S3ST-F085
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- 电阻
- 元素配置
- 箱体转运
- 上升时间
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-26310 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON2V @ 2mA70A Tc2006-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET250W70 nsN-Channel16m Ω @ 50A, 10V无卤素4540pF @ 25V240nC @ 10V±20V95 ns70A20V100V0.025Ohm280A700 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅---------
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON3V @ 250μA1--55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, UltraFET™e3活跃1 (Unlimited)2-Tin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCE-鸥翼--R-PSSO-G2-增强型MOSFET310W-N-Channel14m Ω @ 75A, 10V-4400pF @ 25V153nC @ 10V±16V175 ns75A16V-----ROHS3 Compliant无铅31.31247gyes15mOhmSingleDRAIN106ns100V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUFA76645S3ST-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 对比 |
| HUFA76645S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS4610 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK | 对比 |
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