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IPB80N04S2L03ATMA1备选型号: IPB100N04S4H2ATMA1
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006Obsolete1 (Unlimited)2EAR99LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN19 nsN-Channel3.1m Ω @ 80A, 10V2V @ 250μA无卤素6000pF @ 25V213nC @ 10V50ns±20V27 ns80A20V40V40V810 mJ符合RoHS标准---------- MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3SILICON100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2012活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼R-PSSO-G2-增强型MOSFET--18 nsN-Channel2.4m Ω @ 100A, 10V4V @ 70μA无卤素7180pF @ 25V90nC @ 10V13ns±20V21 ns100A20V40V-280 mJROHS3 Compliant16 Weeks表面贴装SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE0.0024Ohm400A含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | 对比 |
| IPB100N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | 对比 |
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