Infineon Technologies IPB80N04S2L03ATMA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

77 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.1m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

213nC @ 10V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

漏源击穿电压

40V

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准