IPB80N04S403ATMA1备选型号: DMTH4004SCTBQ-13
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 漏源电压 (Vdss)
- Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-26316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2010e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET14 nsN-Channel3.3m Ω @ 80A, 10V4V @ 53μA无卤素5260pF @ 25V66nC @ 10V12ns±20V16 ns80A20V40V200 mJROHS3 Compliant含铅--
- MOSFET N-CH 40V 100A TO26322 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012015e3活跃1 (Unlimited)-EAR99Matte Tin (Sn)--未说明not_compliant未说明----N-Channel3m Ω @ 100A, 10V4V @ 250μA-4305pF @ 25V68.6nC @ 10V-±20V-100A---ROHS3 Compliant-yes40V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R | 对比 |
![]() | DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 100A TO263 | 对比 |




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